Статья

Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока

Г. Бордовский, Р. Кастро
2002

На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразных полупроводников As2Se3 и Ge28.5Pb15S56.5 и анализа их диэлектрических спектров впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемых системах недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.

Бордовский Г., Кастро Р. Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2002;(4):7-16.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник