Статья
Модели U-Минус-центра олова в халькогенидных кристаллических и стеклообразных полупроводниках
Рассмотрены результаты исследования донорных U-Минус-центров в халькогенидах свинца и амфотерных U-Минус-центров в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия методом мёссбауэровской спектроскопии
1. Бордовский Г. А., Марченко А. В. Идентификация U-центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мёссбауэровской спектроскопии. СПб.: Наука, 2010. 279 с.
2. Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А. В., Зайцева А. В., Кожокарь М. Ю., Серегин П. П. Состояние атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца//Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 4. С. 437-440.
3. Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А. В., Серегин П. П. Мёссбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках//Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 1. С. 3-23.
4. Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко А. В., Серегин П. П., Зайцева А. В. Мёссбауэровские U-центры как инструмент исследования бозе-кондесации в полупроводниках//Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып.10. С. 1172-1179.
5. Бордовский Г. А., Гладких П. В., Кожокарь М. Ю., Марченко А. В., Серегин П. П., Теруков Е. И. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений//Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 8. С. 1012-1016.
6. Бордовский Г. А., Марченко А. В., Серегин П. П., Aли H. M., Гладких П. В., Кожокарь М. Ю. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидных стеклах в результате ядерных превращений//Физика и химия стекла. 2010. Т. 36. Вып. 6. С. 652-654.
7. Бордовский Г. А., Дашина А. Ю., Марченко А. В., Серегин П. П., Теруков Е. И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка//Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 6. С. 801-805.
8. Бордовский Г. А., Гладких П. В., Кожокарь М. Ю., Марченко А. В., Серегин П. П., Теруков Е. И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия//Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 10. С. 1399-1400.
9. Бордовский Г. А., Кастро Р. А., Серегин П. П., Добродуб А. А. Свойства и структура стекол (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x и (As2Se3)1-z(SnSe2)z-x(GeSe2)x//Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. Вып. 3. С. 438-445.
10. Бордовский Г. А., Кастро Р. А., Серегин П. П., Теруков Е. И. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово//Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып.1. С. 23-26.
11. Бордовский Г. А., Марченко А. В., Теруков Е. И., Серегин П. П., Лиходеева Т. В. Свойства и структура стекол (As2Se3)1-z(SnSe2)z-x(Tl2Se)x и (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(Tl2Se)x//Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1353-1356.
12. Бордовский Г. А., Дземидко И. А., Марченко А. В., Серегин П. П. Структура и физико-химические свойства стекол (As2Se3)1-z(SnSe2)z-x(Tl2Se)x и (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(Tl2Se)x//Физика и химия стекла. 2009. Т. 35. Вып. 4. С. 468-474.
13. Кастро Р. А., Немов С. А., Серегин П. П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1-xSnxS//Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 927-929.
14. Насрединов Ф. С., Немов С. А., Мастеров В. Ф., Серегин П. П. Мёссбауэровские исследования двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционой энергией в халькогенидах свинца//Физика твердого тела. 1999. Т. 41. Вып. 11. С. 1897-1917.
15. Кастро Р. А., Немов С. А., Серегин П. П., Добродуб А. А. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1-xSnxS//Известия РГПУ им. А. И. Герцена. Физика. 2006. Вып. 6(15). С.120-131.
16. Немов С. А., Серегин П. П., Кожанова Ю. В., Серегин Н. П. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений//Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 12. С. 1414-1419.
17. Немов С. А., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Н. П., Хужакулов Э. С. Статистика электронов в PbS с U-центрами//Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 3. С. 309-312.
18. Немов С. А., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Н. П., Хужакулов Э. С. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe//Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. Вып. 6. С. 669-672.
19. Немов С. А., Кастро Р. А., Алексеева А. Ю., Серегин П. П., Добродуб А. А. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1-xSnxSe//Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. Вып. 11. С. 1335-1337.
20. Немов С. А., Серегин П. П., Иркаев С. М., Серегин Н. П. Положение примесных атомов мышьяка в решетке PbTe//Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. № 3. С. 279-281.
21. Серегин П. П., Бордовский Г. А., Марченко А. В. Мёссбауэровские U-минус-центры в полупроводниках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применения. Academic Publishing GmbH & Co. 2011. 297 с.
22. Теруков Е. И., Марченко А. В., Зайцева А. В., Серегин П. П. Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца//Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. Вып. 12. С. 1434-1439.
23. Anderson P. W. Model for electronic structure of amorphous semiconductors//Physical Review Letters. 1975. V. 34. № 15. P. 953-955.
24. Bordovsky G., Marchenko A., and Seregin P. Mössbauer of Negative U Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Applicaton. Academic Publishing GmbH & Co. 2012. 499 p.
25. Seregin N. P., Seregin P. P., Nemov S. A., Yanvareva A. Yu. Antistructural defects in lead chalcogenides//J. Phys.:Condens. Matter 2003. V. 15. P.7591-7597.