1. Бордовский Г. А., Кастро Р. А. Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2002. ¹ 2 (4). 2002. С. 7-16.
2. Бордовский В. А., Кастро, Р. А., Грабко Г. И. Влияние технологического фактора на релаксационные процессы в пленках AS2SE3 // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2008. ¹ 10 (64). С. 56-61.
3. Бордовский Г. А., Грабко Г. И., Кастро Р. А., Татуревич Т. В. Релаксационная спектроскопия дефектных состояний в стеклообразной системе As-Se // Сб. тр. VII Межд. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники - AMS VII». СПб. 28 июня - 01 июля 2010. С. 81-82.
4. Кастро Р. А., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Распределение релаксаторов в модифицированных пленках триселенида мышьяка // Физ. и хим. стекла. 2010. Т. 36. ¹ 1. С. 44-48.
5. Кастро Р. А., Бордовский В. А., Анисимова Н. И., Грабко Г. И. Спректроскопия заряженных дефектов в тонких слоях стеклообразного Ge0,285Pb0,15S0,565 // ФТП. 2009. Т. 43. ¹ 3. С. 382-384.
6. Микла В. И., Семак Д. Г., Михалько И. П. Нестационарная фотопроводимость слоев стекол из системы As-Se // Изв. вузов. Сер. физ. 1977. ¹ 5. С. 66-71.
7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 с.
8. Bordovsky G. A., Bordovsky V. A., Anisimova N. I., Castro R. A., Seldjaev V. The spectroscopy of local states in thin films of Ge-Pb-S system // Abstr. of the II Intern. Materials Symp. (Materials 2003), April 2003, Caparica, Portugal. P. 59.
9. Castro R. A., Bordovsky G. A., Bordovsky V. A., Anisimova N. I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // J. Non-Cryst. Sol. 2006. V. 352. P. 1560.
10. Bordovskij G. A., Kastro R. A. Izuchenie raspredelenija relaksatorov v hal'kogenidnyh stekloobraznyh poluprovodnikah metodom izotermicheskoj relaksacii toka // Izvestija RGPU im. A. I. Gercena. 2002. ¹ 2 (4). 2002. S. 7-16.
11. Bordovskij V. A., Kastro R. A., Grabko G. I. Vlijanie tehnologicheskogo faktora na relaksacionnye processy v plenkah AS2S E3 // Izvestija RGPU im. A. I. Gercena. 2008. ¹ 10 (64). S. 56-61.
12. Bordovskij G. A., Grabko G. I., Kastro R. A., Taturevich T. V. Relaksacionnaja spektroskopija defektnyh sostojanij v stekloobraznoj sisteme As-Se // Sb. tr. VII mezhd. konf. «Amorfnye i mikrokristallicheskie poluprovodniki - AMS VII». SPb. 28 ijunja-01 ijulja 2010. S. 81-82.
13. Kastro R. A., Bordovskij V. A., Grabko G. I. Raspredelenie relaksatorov v modificirovannyh plenkah triselenida mysh'jaka // Fiz. i him. stekla. 2010. T. 36. ¹ 1. S. 44-48.
14. Kastro R. A., Bordovskij V. A., Anisimova N. I., Grabko G. I. Sprektroskopija zarjazhennyh defektov v tonkih slojah stekloobraznogo Ge0,285Pb0,15S0,565 // FTP. 2009. T. 43. ¹ 3. S. 382-384.
15. Mikla V. I., Semak D. G., Mihal'ko I. P. Nestacionarnaja fotoprovodimost' sloev stekol iz sistemy As- Se // Izv. vuzov. Ser. fiz. 1977. ¹ 5. S. 66-71.
16. Mott N., Djevis Je. Jelektronnye processy v nekristallicheskih vewestvah. M.: Mir, 1982. 662 s.
17. Bordovsky G. A., Bordovsky V. A., Anisimova N. I., Castro R. A., Seldjaev V. The spectroscopy of local states in thin films of Ge-Pb-S system // Abstr. of the II Intern. Materials Symp. (Materials 2003), April 2003, Caparica, Portugal. P. 59.
18. Castro R. A., Bordovsky G. A., Bordovsky V. A., Anisimova N. I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // J. Non-Cryst. Sol. 2006. V. 352. P. 1560.
