<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бордовский Геннадий Алексеевич</author>
     <author>Кастро Рене Арата</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>физика</keyword>
    <keyword>полупроводники</keyword>
    <keyword>диэлектрики</keyword>
    <keyword>неупорядоченные полупроводники</keyword>
    <keyword>Стеклообразные полупроводники</keyword>
    <keyword>халькогенидные стеклообразные полупроводники</keyword>
    <keyword>темновой ток</keyword>
    <keyword>Изотермическая релаксация тока</keyword>
    <keyword>дисперсия</keyword>
    <keyword>функция распределения времен релаксации</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2002</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразных полупроводников As2Se3 и Ge28.5Pb15S56.5 и анализа их диэлектрических спектров впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемых системах недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/10280</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
