RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Бордовский, Геннадий Алексеевич
A1 - Кастро, Рене Арата
YR - 2002
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10280
AB - На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразных полупроводников As2Se3 и Ge28.5Pb15S56.5 и анализа их диэлектрических спектров впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемых системах недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.