TY  - JOUR
T1  - Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока
JF  - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
AU  - Бордовский, Геннадий Алексеевич
AU  - Кастро, Рене Арата
Y1  - 2023-07-10
UR  - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10280
N2  - На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразных полупроводников As2Se3 и Ge28.5Pb15S56.5 и анализа их диэлектрических спектров впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемых системах недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.