@article{Бордовский2023-07-10,
author = {Г. Бордовский, Р. Кастро},
title = {Изучение распределения релаксаторов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках методом изотермической релаксации тока},
year = {2002},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразных полупроводников As2Se3 и Ge28.5Pb15S56.5 и анализа их диэлектрических спектров впервые проведен расчет функции распределения времен релаксации, ее основных параметров и их температурной зависимости. Полученные результаты подтверждают предположения о существовании в исследуемых системах недебаевского механизма дисперсии в интервале инфранизких частот и могут быть использованы для дальнейшего исследования электронных свойств неупорядоченных полупроводников.},
URL = {https://rep.herzen.spb.ru/publication/10280},
journal = {Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена},
}