Борисова Т., Кастро А. Влияние режима синтеза оксидного слоя на диэлектрические свойства структур Si/Al 2O 3/Al. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2013;(154):53-64.
1. Алесковский В. Б. Стехиометрия и синтез твердых веществ соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.
2. Алехин А. П., Григал И. П., Гудкова С. А., Лебединский Ю. Ю., Маркеев А. М., Чуприк А. А. Атомно-слоевое осаждение трехкомпонентных диэлектриков HfxAl1-xOy с высокой диэлектрической проницаемостью // Труды МФТИ (Физика, электроника, нанотехнологии). 2011. Т. 3. № 3. С. 22-29.
3. Балашова Е. В., Кричевцов Б. Б., Леманов В. В. Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO2 и α-Al2O3 // ФТТ. 2010. Т. 52. № 1. С. 119-123.
4. Бердоносов С. С., Баронов С. Б., Кузьмичева Ю. В., Бердоносова Д. Г., Мелихо И. В. Новая изящно текстурированная форма аморфного оксида алюминия в виде полых трубок // Вестник Московского университета. Сер. 2. Химия. 2002. Т. 43. № 1. С. 19-25.
5. Калужский Н. А., Волохов Ю. А. Алюминия оксид // Химическая энциклопедия. Т. 1. М., 1988. С. 118.
6. Корзо В. Ф. Аморфные полупроводники // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. Т. 24. № 3. С. 244-276.
7. Лебедев М. С. Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация: Автореф. дис. … канд. хим. наук. Новосибирск, 2010. 20 с.
8. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 c.
9. Никифоров Д. К. Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Be-BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки: Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. М., 2006. 23 с.
10. Новиков Ю. Н., Вишняков А. В., Гриценко В. А., Насыров К. А. Перенос заряда в оксиде алюминия: многофононный механизм ионизации ловушек // Известия РГПУ им. А. И. Герцена. 2008. № 122. С. 46-52.
11. Новиков Ю. Н., Гриценко В. А., Насыров К. А. Многофононный механизм ионизации ловушек в Al2O3: эксперимент и численное моделирование // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 89. Вып. 10. С. 599-602.
12. Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986. 368 с.
13. Перевалов Т. В., Гриценко В. А. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью // Успехи физических наук. 2010. Т. 180. № 6. С. 587-603.
14. Соколов А. А. Изучение электронного и атомного строения межфазовых границ и нанослоев диэлектриков, синтезированных на кремнии: Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. СПб., 2010. 24 с.
15. Тетельбаум Д. И., Михайлов А. Н., Белов А. И., Ершов А. В., Питиримова Е. А., Планкина С. М., Смирнов В. Н., Ковалев А. И., Turan R., Yerci S., Finstad T. G., Foss S. Свойства наноструктур Al2O3: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир, и аморфные пленки оксида алюминия // Физика твердого тела. 2009. Т. 51. Вып. 2. С. 385-392.
16. Шулаков А. С., Брайко А. П., Букин С. В., Дрозд В. Е. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 10. С. 1868-1872.
17. Шулаков А. С., Брайко А. П., Букин С. В., Дрозд В. Е. // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 6. С. 1111-1114.
18. Choong-Ki Lee, Eunae Cho, Hyo-Sug Lee, Kwang Soo Seol, Seungwu Han. Comparative study of electronic structures and dielectric properties of alumina polymorphs by first-principles methods // Physical review. 2007. N 76. 245110. С. 1-7.
19. Hill R. M. Hopping conduction in amorphous Solids // Phil. Mag. 1971. V. 24. P. 1307-1323.
20. Gonzalo Gutierrez, Borje Johansson. Molecular dynamics study of structural properties of amorphous Al2O3 // Physical Review B. 2002. V. 65. 104202. C. 1-9.
21. Robertson J. High dielectric constant oxides // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. Т. 28. P. 265-291.
22. Yakovleva N. M., Anicai L., Yakovlev A. N., Dima L., Khanina E. Ya., Chupakhina E. A. Structure and Properties of Anodic Aluminum Oxide Films Produced in HNO3 Solutions // Inorganic Materials. 2003. V. 39. N 1. P. 50-56.
23. Pollak M. Frequency dependence of conductivity in amorphous solids // Phil. Mag. 1971. V. 23. P. 519-542.
