TY - JOUR T1 - Влияние режима синтеза оксидного слоя на диэлектрические свойства структур Si/Al ₂O ₃/Al JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена AU - Борисова, Татьяна Михайловна AU - Кастро, Арата Рене Алехандро Y1 - 2023-07-10 UR - https://rep.herzen.spb.ru/publication/2539 N2 - Проведено исследование диэлектрических свойств МДП-структур Si / Al 2 O 3 / Al на основе слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания. Измерены температурно-частотные зависимости действительной (ε`) и мнимой (ε``) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь tgδ ( f ) и проводимости (σ ac) в области частот f = 1·10 -1–1·10 6 Гц. Установлено, что в изученных структурах имеет место релаксационная дисперсия ε` и ε``. Показано, что диэлектрические потери в оксидном слое обусловлены релаксационной поляризацией и сквозной проводимостью. Обнаружено существование прыжкового механизма проводимости с частотной зависимостью типа σ ac ~ f 0.85. Оценены параметры энергетического спектра локализованных состояний: радиус локализации а = (3.66 ÷ 9.07) Å, плотность ( N F ) и разброс (∆E) этих состояний N F = (8.34 ÷ 31.44)·10 19 эВ –1·м –3, ∆Е ~(10 -2 ± 10 -3) эВ, среднее время (τ) и расстояние ( r 0 ) прыжков τ = 1 мкс и r 0 = (75 ÷ 188) Å. Обнаруженные закономерности объясняются особенностями двух структур.