Статья
Влияние диэлектрического нанослоя на эмиссионные свойства структур Al-Al2O3 и Be-BeO
Проведено компьютерное моделирование процессов инжекции и эмиссии электронов в наноструктурах Al-Al2O3 и Be-BeO. Проанализированы вклады инжекционных токов Френкеля-Пула и туннельных токов Фаулера-Нордгейма в зависимости от приложенного электрического поля и толщины диэлектрического нанослоя.
1. Абрамов И. И., Игнатенко С. А., Новик Е. Г. Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1231-1234.
2. Абрамов И. И., Новик Е. Г. Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах // Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 1014-1019.
3. Беляев Р. А. Окись бериллия. - М.: Атомиздат, 1980. - 224 с.
4. Дефекты и физические свойства многокомпонентных электронных материалов // К. Г. Никифоров, А. П. Коржавый, В. В. Горбачев и др. / Ред. К. Г. Никифоров. - Калуга: Изд-во КГПУ, 1999. С. 49-91.
5. Добрецов А. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. - М.: Наука, 1966. - 564 с.
6. Добрынин А., Казаков Н. П., Найда Г. А., Поддененский Е. Н., Райдин Е. Р., Соколов Е. В. Нитрид алюминия в электронной технике // Зарубежная электроника. 1989. № 4. С. 44-84.
7. Ежовский Ю. К., Клусевич А. И. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия // Физика твердого тела. 2003. Т. 45. Вып. 11. С. 2099-2103.
8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир, 1984. Т. 1. - 456 c.
9. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. - М.: Мир, 1984. - 326 с.
10. Кийко В. С., Макурин Ю. Н., Балакирев В. Ф. Состав и свойства промышленной керамики из оксида бериллия // Химическая технология. 2004. № 1. С. 7-9.
11. Кийко В. С., Софронов А. А., Макурин Ю. Н., Шабунин С. Н., Плетнева Е. Д., Ивановский А. Л. Применение керамики BeO TiO2 в различных областях техники и специального приборостроения // Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии: Материалы V Международной конференции. Кисловодск, 2005. - Ставрополь: СевКав-ГТУ, 2005. С. 34-35.
12. Киселев А. Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. - М.: Изд-во МФТИ, 2002. - 240 с.
13. Коржавый А. П., Марин В. П., Сигов А. С. Некоторые аспекты создания технологий и конструкций изделий квантовой электроники // Наукоемкие технологии. 2002. Т. 3. № 4. С. 20-31.
14. Кортов В. С., Мильман И. И., Никифоров С. В., Моисейкин Е. В., Овчинников М. М. Фототрансферная термолюминесценценция в аниондефектных кристаллах ?-Al2O3 // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 12. С. 2143-2147.
15. Кортов В. С., Мильман И. И., Никифоров С. В., Пеленев В. Е. Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия // Физика твердого тела. 2003. Т. 45. Вып. 7. С. 1202-1208.
16. Костенко В. И., Серегин В. С., Грошкова Л. А., Василевич А. И. Перспективы использования высокотемпературной керамики из нитрида алюминия в космическом приборостроении // Вопросы миниатюризации в современном космическом приборостроении: Труды семинара ИКИ РАН. - Таруса, 2004. - С. 250-256.
17. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. - М.: Мир, 1973. - 435 с.
18. Модинос А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. - М.: Наука, 1990. - 320 с.
19. Никифоров Д. К. Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Be-BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки: Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. - М., 2006.
20. Никифоров Д. К., Коржавый А. П., Никифоров К. Г. Вычислительный эксперимент в наноструктурах Be-BeO: процессы переноса в рамках модели ТОПЗ // Вестник Калужского университета. 2007. № 2. С. 3-8.
21. Прудан А. М., Гольман Е. К., Козырев А. Б., Кютт Р. Н., Логинов В. Е. Свойства титаната стронция в многослойной структуре SrTiO3/CeO2/ Al2O3 // Физика твердого тела. 1997. Т. 39. Вып. 6. С. 1024-1029.
22. Туннельные явления в твердых телах / Ред. Э. Бурштейн, С. Лундквист. - М.: Мир, 1973. - 367 с.
23. Шулаков А. С., Брайко А. П., Букин С. В., Дрозд В. Е. Свойства межфазовой границы Al2O3/Si // Физика твердого тела. 2004. Т. 46. Вып. 10. С. 1868-1872.
24. Bondarenko G. G., Korzhavyi A. P., Nikiforov D. K. Modification of the emitting metal-metal oxide nanostructures under ionic bombardment // Perspective Materials. 2007. Vol. 1. P. 224-225.
25. Hickmott T. W. Polarization and Fowler-Nordheim Tunneling in Anodized Al-Al2O3- Au Diodes // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. № 11. P. 7903-7912.
26. Hickmott T. W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized Al-Al2O3-Au // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. № 5. P. 2805-2812.
27. Lee M. B., Hahm S. H., Lee J. H., Song Y. H. Emission behavior of nm-thick Al2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. № 12. P. 123511-123513.
28. Makarenko S., Sekirin I. Control of reflectance spectrum of BeO ceramics surface // Int. Symp. Molecular Spectroscopy Abstr. Columbus. Ohio, US. 1997. P. RG103.
29. Simmons J. G., Unterkofler G. H., Allen W. W. Temperature characteristics of BeO tunneling structures // Appl. Phys. Lett. 1963. Vol. 2. № 4. P. 78-80.
30. Specht M., Stadele M., Jakschik S., Schroder U. Transport mechanisms in atomic-layer-deposited Al2O3 dielectrics // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. № 3. P. 3076-3078.