Пергамент А., Ханин С. Электронное переключение в тонких слоях оксидов переходных металлов. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2007;(26):69-86.
1. Imada M., Fujimori A., Tokura Y. Metal-Insulator Transitions // Rev. Mod. Phys. 1998. V. 70. № 4. P. 1059-1263.
2. Викулин И. М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М., 1999.
3. Сандомирский В. Б., Суханов А. А. Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках // Зарубежная радиоэлектроника. 1976. № 9. С. 68-101.
4. Костылев С. А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев, 1978.
5. Oxley D. P. Electroforming, switching and memory effects in oxide thin films // Electrocomponent Sci. Technol. 1977. V. 3. № 4. Р. 217-224.
6. Thurstans R. E., Oxley D. P. The electroformed metal-insulator-metal structure: a comprehensive model // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. V. 35. № 8. P. 802-809.
7. Owen A. E., Le Comber P. G., Hajto J., Rose M. J., Snell A. J. Switching in amorphous devices // Int. J. Electronics. 1992. V. 73. № 5. P. 897-906.
8. Ray A. K., Hogarth C. A. A critical review of the observed electrical properties of MIM devices showing VCNR // Int. J. Electronics. 1984. V. 57. № 1. P. 1-78.
9. Chopra K. L. Avalanch-induced negative resistance in thin oxide films // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 184-187.
10. Hickmott T. W., Hiatt W. R. Electrode effects and bistable switching of amorphous Nb2O5 diodes // Solid-State Electronics. 1970. V.13. № 7. P. 1033-1038.
11. Lalevic B., Fuschillo N., Slusark W. Switching in Nb-Nb2O5-Nb devices with doped Nb2O5 amorphous films // IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. V. ED-22. P. 965-967.
12. Vezzoli G. C. Recovery curve for threshold-switching NbO2 // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. P. 6390-6395.
13. Vezzoli G. C., Walsh P. J., Shoga M. A. Interpretation of recent transient on-state data in thin chalcogenide glass and NbO2 threshold switching material // Phil. Mag. B. 1991. V. 63. № 3. P. 739-755.
14. Shin S. H., Halperin T., Raccah P. M. High-speed high-current field switching of NbO2 // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 3150-3153.
15. Taylor G., Lalevic B. RF relaxation oscillations in polycrystalline TiO2 thin films // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. № 10. P. 4410-4412.
16. Захарченя Б. П., Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., Терман М. Ю., Чудновский Ф. А. Переключение в МОМ структурах на основе двуокиси ванадия // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 2. С. 108-110.
17. Morris R. C., Christopher J. E., Coleman R. V. Conduction phenomena in thin layers of iron oxide // Phys. Rev. 1969. V. 184. № 2. P. 565-570.
18. Fors R., Khartsev S. I., Grishin A. M. Giant resistance switching in metal-insulator-manganite junctions: Evidence for Mott transition // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. P. 045305- 045315.
19. Одынец Л. Л., Орлов В. М. Анодные оксидные плёнки. Л., 1990.
20. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л., 1979.
21. Стефанович Г. Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов: Дис. … д-ра физ.-мат. наук. СПб., 1997.
22. Stefanovich G. B., Pergament A. L., Velichko A. A., Stefanovich L. A. Anodic oxidation of vanadium and properties of oxide films // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. № 23. P. 4013-4024.
23. Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов // ФТТ. 1994. Т. 36. № 10. С. 2988-3001.
24. Pergament A. L., Malinenko V. P., Tulubaeva O. I., Aleshina L. A. Electroforming and switching effects in yttrium oxide // Рhys. stat. sol. (a). 2004. V. 201. № 7. P. 1543-1550.
25. Андреев В. Н., Тимощенко Н. Е., Черненко И. М., Чудновский Ф. А. Механизм формирования переключающих ванадатно-фосфатных стекол // ЖТФ. 1981. Т. 51. Вып. 8. С. 1685-1689.
26. Higgins J. K., Temple B. K., Lewis J. E. Electrical properties of vanadate-glass threshold switches // J. Non-Cryst. Solids. 1977. V. 23. P. 187-215.
27. Zhang J. G., Eklund P. C. Тhe switching mechanism in V2O5 gel films // J. Appl. Phys. 1988. V. 64, № 2, P. 729-733.
28. Bullot J., Gallias O., Gauthier M., Livage J. Threshold switching in V2O5 layers deposited from gels // Phys. Status Solidi (a). 1982. V. 71. № 1. P. K1-K4.
29. Волженский Д. С., Савицкий В. Г., Котлярчук Б. К. Механизм переключения в монокристаллах V2O5 // ФТТ. 1977. Т. 19. Вып. 9. С. 1552-1554.
30. Бойко Б. Т., Копач В. Р., Поздеев Ю. Л., Скатков И. Б., Юхно И. А. Природа электрической формовки аморфных плёнок Nb2O5 // Укр. физ. журн. 1981. Т. 26. № 11. С. 1892-1897.
31. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М., 1975.
32. Ханин С. Д. Структурная неоднородность и электронные свойства неупорядоченных диэлектриков // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2004): Материалы 10-й Международной конференции. СПб., 2004. С. 50-52.
33. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Под ред. Г. В. Самсонова. М., 1978.
34. Коллонг Р. Нестехиометрия. М., 1974.
35. Rao C. N. R., Raveau B. Transition Metal Oxides: Structure, Properties and Synthesis of Ceramics Oxedes. New-York, 1998.
36. Rogers D. B., Shannon R. D., Sleight A. W., Gillson J. L. Crystal Chemistry of Metal Dioxides with Rutile-Related Structures // Inorg. Chem. 1969. V. 8. P. 841-849.
37. Цэндин К. Д., Лебедев Э. А., Шмелькин А. Б. Неустойчивости с S- и N-образными вольт-амперными характеристиками и фазовые переходы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и полимерах // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 3. С. 427-432.
38. Pergament A., Morak A. Photoinduced metal-insulator transitions: Critical concentration and coherence length // J. Phys. A: Math. Gen. 2006. V. 39. № 17. P. 4619-4623.
39. Ильинский А. В., Климов В. А., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б. Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл // Изв. РГПУ: Физика. 2006. № 6(15). С.100-119.
40. Попова И. О., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б. Структурно-чувствительные нелинейные оптические свойства слоев оксидов и халькогенидов переходных металлов при фазовом переходе металл-полупроводник // Изв. РГПУ: Физика. 2005. № 5(13). С. 128-136.
