@article{Пергамент2023-07-10,
author = {А. Пергамент, С. Ханин},
title = {Электронное переключение в тонких слоях оксидов переходных металлов},
year = {2007},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Экспериментально изучен эффект переключения с S-образной ВАХ в МОМ-структурах на основе тонких аморфных пленок (50-200 нм) оксидов переходных металлов (V, Ti, Fe, Nb, Mo, W, Hf, Zr, Mn, Y, Ta), полученных анодным окислением. Каналы переключения, полностью или частично состоящие из низших оксидов, образуются в процессе предварительного электротеплового нагружения (электрической формовки). На основании анализа температурных зависимостей порогового напряжения показано, что причиной переключения в оксидных пленках на ванадии, титане, ниобии, вольфраме и железе является фазовый переход металл-изолятор в VO2, Ti2O3, NbO2, WO3-x и Fe3O4 соответственно. (Исследования выполнялись в рамках программ «Фундаментальные исследования и высшее образование» и «Развитие научного потенциала высшей школы», поддерживаемых Министерством образования и науки РФ и Американским фондом гражданских исследований и развития (CRDF), грант № RUX0-000013-PZ-06)},
URL = {https://rep.herzen.spb.ru/publication/9593},
journal = {Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена},
}