RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Электронное переключение в тонких слоях оксидов переходных металлов
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Пергамент, Александр Лионович
A1 - Ханин, Самуил Давидович
YR - 2007
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/9593
AB - Экспериментально изучен эффект переключения с S-образной ВАХ в МОМ-структурах на основе тонких аморфных пленок (50-200 нм) оксидов переходных металлов (V, Ti, Fe, Nb, Mo, W, Hf, Zr, Mn, Y, Ta), полученных анодным окислением. Каналы переключения, полностью или частично состоящие из низших оксидов, образуются в процессе предварительного электротеплового нагружения (электрической формовки). На основании анализа температурных зависимостей порогового напряжения показано, что причиной переключения в оксидных пленках на ванадии, титане, ниобии, вольфраме и железе является фазовый переход металл-изолятор в VO2, Ti2O3, NbO2, WO3-x и Fe3O4 соответственно. (Исследования выполнялись в рамках программ «Фундаментальные исследования и высшее образование» и «Развитие научного потенциала высшей школы», поддерживаемых Министерством образования и науки РФ и Американским фондом гражданских исследований и развития (CRDF), грант № RUX0-000013-PZ-06)