Статья
Природа электрической активности примесных центров редкоземельных металлов в аморфном гидрогенизированном кремнии
2008
Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния a-Si(Н), легированных редкоземельными металлами (РЗМ). Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тs = 380 °С. Примесные атомы Eu, Dy и Yb стимулируют фотопроводимость a-Si(H), тогда как примеси Nd, Sm, Gd, Tb и Eu подавляют фотопроводимость.
Цитирование
Список литературы