RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Природа электрической активности примесных центров редкоземельных металлов в аморфном гидрогенизированном кремнии
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Бордовский, Геннадий Алексеевич
A1 - Марченко, Алла Валентиновна
A1 - Мездрогина, Маргарита Михайловна
A1 - Серегин, Павел Павлович
YR - 2008
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/7453
AB - Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния a-Si(Н), легированных редкоземельными металлами (РЗМ). Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тs = 380 °С. Примесные атомы Eu, Dy и Yb стимулируют фотопроводимость a-Si(H), тогда как примеси Nd, Sm, Gd, Tb и Eu подавляют фотопроводимость.