<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бордовский Геннадий Алексеевич</author>
     <author>Марченко Алла Валентиновна</author>
     <author>Мездрогина Маргарита Михайловна</author>
     <author>Серегин Павел Павлович</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Природа электрической активности примесных центров редкоземельных металлов в аморфном гидрогенизированном кремнии</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>электрическая активность</keyword>
    <keyword>физика</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2008</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния a-Si(Н), легированных редкоземельными металлами (РЗМ). Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тs = 380 °С. Примесные атомы Eu, Dy и Yb стимулируют фотопроводимость a-Si(H), тогда как примеси Nd, Sm, Gd, Tb и Eu подавляют фотопроводимость.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/7453</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
