%0 научная статья
%A Бордовский, Геннадий Алексеевич
%A Марченко, Алла Валентиновна
%A Мездрогина, Маргарита Михайловна
%A Серегин, Павел Павлович
%T Природа электрической активности примесных центров редкоземельных металлов в аморфном гидрогенизированном кремнии
%D 2008
%J Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
%X Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния a-Si(Н), легированных редкоземельными металлами (РЗМ). Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тs = 380 °С. Примесные атомы Eu, Dy и Yb стимулируют фотопроводимость a-Si(H), тогда как примеси Nd, Sm, Gd, Tb и Eu подавляют фотопроводимость.
%U https://rep.herzen.spb.ru/publication/7453