Методом мёссбауэровской спектроскопии на изотопе 119 Sn изучено состояние примесных атомов олова в аморфном a-Si кремнии. Исследованы электрические и оптические свойства легированных оловом пленок термически напыленного аморфного кремния. Показано, что, в отличие от кристаллического кремния, в котором олово является электрически неактивной примесью замещения, в термически напыленном аморфном кремнии оно создает полосу акцепторных состояний вблизи валентной зоны. При этом часть атомов олова оказывается в заряженном состоянии.
1. Бордовский Г. А., Марченко А. В., Серегин П. П. Влияние аморфизации на локальное окружение атомов в халькогенидах мышьяка//Физика и химия стекла. 2008. Т. 34. № 5. С. 706-711.
2. Мастеров В. Ф., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Теруков Е. И., Мездрогина М. М. Примесные атомы эрбия в кремнии//Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 6. С. 708-711.
3. Мастеров В. Ф., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Кудоярова В. Х., Кузнецов А. Н., Теруков Е. И. Симметрия локального окружения примесных атомов эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии//Письма в «Журнал технической физики». 1996. Т. 22. № 23. С. 25-29.
4. Bordovsky G., Marchenko A., Seregin P. Mössbauer of Negative U Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Application. Lambert. Academic Publ. Berlin. 2012. 499 p.
5. Bordovsky G. A., Marchenko A. V., Seregin P. P., Terukov E. I. The effect of amorphization on the local structure of arsenic chalcogenides//Semiconductors. 2009. Т. 43. № 1. С. 4-6.
6. Bordovskii G. A., Castro R. A., Marchenko A. V., Seregin P. P. Thermal stability of tin charge states in the structure of the (As2Se3)0.4(SnSe)0.3(GeSe)0.3 glass//Glass Physics and Chemistry. 2007. Т. 33. № 5. С. 467-470.
7. Masterov V. F., Nasredinov F. S., Seregin P. P., Terukov E. I., Mezdrogina M. M. Erbium impurity atoms in silicon//Semiconductors. 1998. Т. 32. № 6. С. 636-639.
