Статья

Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-хGeхTe

В. Маслов, С. Барышников, Е. Стукова
2012

Представлены результаты диэлектрических исследований Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0,03; 0,05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 -10 Hz. Обнаружено, что для Pb1-xGexTe(Ga) температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и абсолютное значение е' существенно уменьшается с ростом концентрации свободных носителей. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории

Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник