1. Барышников С. В., Барышников А. С, Баранов А. Ф., Маслов В. В. Особенности диэлектрических аномалий в Pb1-xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода //ФТТ. 2008. Т. 50. Вып.7. С. 1270-1273.

2. Бушмарина Г. С, Грузинов Б. Ф., Драбкин И. А., Лев Е. Я., Нельсон И. В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах Pb1- хGeхTe, легированных Gа // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 10. С. 1874-1881.

3. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М: Мир, 1974. 472.

4. Кристофель Н. Н, Консин П. И. Теория вибронных фазовых переходов широкощельных сегнетоэлектриков // ФТТ. 1971. Т. 13. № 9. С. 2513-2520.

5. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Пер. с англ. / Под ред. В. В. Леманова, Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981. 736 с.

6. Скипетров Е. П., Зверева Е. А., Белоусов В. В., Скипетрова Л. А., Слынько Е. И. Глубокий уровень галлия в сплавах Pb1-xGexTe // ФТП. 2000. T. 34. Вып. 8. С. 932-934.

7. Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М: Наука, 1976. 408 с.

8. Фридкин В. М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. 464 с.

9. Hallers J. J., Caspers W. T. On the influence of conduction electrons on the ferroelectric Curie temperature // Phys. St. Sol. 1969. Vol. 36. № 2. P. 587-592.

10. Maslov S. V, Baryshnikov Ya. V. Copelevich Ya. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor // Ferroelectrics. 1982. Vol. 45. P. 51-54.

11. Natterman Th. On the influence of screening on the ferroelectric Curie Point // Phys. Stas. Sol. (b). 1972. V. 51. №1. P. 395-405.

12. Takaokaa S., Itogaa Т., Murasea K. Quantum oscillation of carrier concentration due to fermi level pinning by doped indium impurities in Pb1-XSnXTe // Solid State Comm. 1983. Vol. 46. Iss. 4. P. 287-290.

13. Trunov N. N, Bursian E. V. The influence of charge carriers on the transversal mode in ferroelectrics // Phys. Stas. Sol. (b). 1974. Vol. 65. P. K129-K130.