@article{Маслов2023-07-10,
author = {В. Маслов, С. Барышников, Е. Стукова},
title = {Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-хGeхTe},
year = {2012},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Представлены результаты диэлектрических исследований Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0,03; 0,05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 -10 Hz. Обнаружено, что для Pb1-xGexTe(Ga) температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и абсолютное значение е' существенно уменьшается с ростом концентрации свободных носителей. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории},
URL = {https://rep.herzen.spb.ru/publication/2966},
journal = {Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена},
}