%0 научная статья
%A Маслов, Вадим Владимирович
%A Барышников, Сергей Васильевич
%A Стукова, Елена Владимировна
%T Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-хGeхTe
%D 2012
%J Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
%X Представлены результаты диэлектрических исследований Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0,03; 0,05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 -10 Hz. Обнаружено, что для Pb1-xGexTe(Ga) температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и абсолютное значение е' существенно уменьшается с ростом концентрации свободных носителей. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории
%U https://rep.herzen.spb.ru/publication/2966