TY  - JOUR
T1  - Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-хGeхTe
JF  - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
AU  - Маслов, Вадим Владимирович
AU  - Барышников, Сергей Васильевич
AU  - Стукова, Елена Владимировна
Y1  - 2023-07-10
UR  - https://rep.herzen.spb.ru/publication/2966
N2  - Представлены результаты диэлектрических исследований Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0,03; 0,05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 -10 Hz. Обнаружено, что для Pb1-xGexTe(Ga) температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и абсолютное значение е' существенно уменьшается с ростом концентрации свободных носителей. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории