17 Маслов Вадим Владимирович Барышников Сергей Васильевич Стукова Елена Владимировна Влияние свободных носителей на температуру фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb1-хGeхTe Ferroelectrics-semiconductors dielectric permittivity phase transition сегнетоэлектрики-полупроводники диэлектрическая проницаемость фазовый переход 2012 2023-07-10 Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена Представлены результаты диэлектрических исследований Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0,03; 0,05 в температурном интервале 77-180 К на частотах 10 -10 Hz. Обнаружено, что для Pb1-xGexTe(Ga) температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и абсолютное значение е' существенно уменьшается с ростом концентрации свободных носителей. Предлагается теоретическое объяснение в рамках динамической теории https://rep.herzen.spb.ru/publication/2966