Статья

Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3

Г. Бордовский, Р. Кастро
2002

Исследованы релаксационные и диэлектрические свойства модифицированных пленок As2Se3(Bi)х в области инфранизких частот. Обнаружено увеличение диэлектрической проницаемости с возрастанием процентного содержания Bi и существование максимумов I рода на частотных зависимостях tg d. Сделано заключение о существовании проводящих структур (кластеров), образованных при внедрении атомов Bi в матрицу стекла. Рассчитаны времена релаксации двух поляризационных процессов, связанных с этими структурными единицами.

Бордовский Г., Кастро Р. Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2002;(4):17-22.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник