Исследованы релаксационные и диэлектрические свойства модифицированных пленок As2Se3(Bi)х в области инфранизких частот. Обнаружено увеличение диэлектрической проницаемости с возрастанием процентного содержания Bi и существование максимумов I рода на частотных зависимостях tg d. Сделано заключение о существовании проводящих структур (кластеров), образованных при внедрении атомов Bi в матрицу стекла. Рассчитаны времена релаксации двух поляризационных процессов, связанных с этими структурными единицами.
1. Аванесян В. Т., Бордовский В. А., Кастро Р. А. Влияние примеси висмута на процессы релаксации темнового тока в слоях As2Se3 // Физ. и хим. стекла. 1997. Т. 23. № 4.
2. Anisimova N., Avanesyan V., Bordovski G., Castro R., Nagaytcev A. Polarization properties of layers in As-Se modified system // Proc. VIII Intern. Symp. on Electrets. - Paris, France, 1994.
3. Balberg I., Gal E. Determination of distribution of states in hydrogenated amorphous sislcon from capacitance-voltage characteristics // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58.
4. Сандитов Д. С., Цыдыпов Ш. Б., Сандитов Б. Д., Сангадиев С. Ш. Дырочно-кластерная модель стеклообразных твердых тел и их расплавов // Стекла и твердые электролиты: тез. докл. Межд. конф. Санкт-Петербург, 17-19 мая 1999 г. - СПб., 1999.
5. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К. Д. Цэндина. - СПб., 1996.
6. Мазурин О. В., Браиловский В. Б. Проблема микронеоднородности стекол в свете изучения их электрических свойств // Стеклообразное состояние. - М.; Л., 1965.
7. Cole K., Cole R. Dispersion and absorption in dielectrics. I. Alternating current characteristics // J. Chem. Phys. 1941. Vol. 9.
8. Казакова Л. П., Лебедев Э. А. Влияние примеси металлов на дрейфовую подвижность носителей заряда в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // ФТП. 1998. Т. 32. № 7.
