RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Бордовский, Геннадий Алексеевич
A1 - Кастро, Рене Арата
YR - 2002
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10281
AB - Исследованы релаксационные и диэлектрические свойства модифицированных пленок As2Se3(Bi)х в области инфранизких частот. Обнаружено увеличение диэлектрической проницаемости с возрастанием процентного содержания Bi и существование максимумов I рода на частотных зависимостях tg d. Сделано заключение о существовании проводящих структур (кластеров), образованных при внедрении атомов Bi в матрицу стекла. Рассчитаны времена релаксации двух поляризационных процессов, связанных с этими структурными единицами.