17 Бордовский Геннадий Алексеевич Кастро Рене Арата физика полупроводники диэлектрики Стеклообразные полупроводники халькогенидные стеклообразные полупроводники инфранизкие частоты кластер кластерная структура релаксация релаксационные свойства диэлектрические свойства 2002 2023-07-10 Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена Исследованы релаксационные и диэлектрические свойства модифицированных пленок As2Se3(Bi)х в области инфранизких частот. Обнаружено увеличение диэлектрической проницаемости с возрастанием процентного содержания Bi и существование максимумов I рода на частотных зависимостях tg d. Сделано заключение о существовании проводящих структур (кластеров), образованных при внедрении атомов Bi в матрицу стекла. Рассчитаны времена релаксации двух поляризационных процессов, связанных с этими структурными единицами. https://rep.herzen.spb.ru/publication/10281