Флэш-элемент памяти, основанный на кремниевых квантовых точках, встроенных в диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью

Ю. Новиков; К. Насыров

Статья

Флэш-элемент памяти, основанный на кремниевых квантовых точках, встроенных в диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью

Ю. Новиков, К. Насыров

2010

Численно моделировались характеристики записи/стирания и хранения заряда во ФЛЭШ-элементе памяти на основе структуры кремний/оксид 1/оксид _2/кремниевая точка/блокирующий оксид/полупроводник В качестве первого туннельного диэлектрика использовался слой Si02 (e * 3,9) толщиной 1,5 нм, в качестве блокирующего и второго туннельного слоя использовался Zr02 (s*25) толщиной 8,0 нм. Такая последовательность диэлектриков в туннельном и блокирующих слоях позволяет максимально увеличить быстродействие и увеличить окно памяти во ФЛЭШ, основанной на нанокластерах встроенных в диэлектрик Программирование предложенного ФЛЭШ-импульсами ±11 В позволяет достичь окно памяти *6 В через 10 лет хранения.

Цитирование

Список литературы

1. Гриценко В. А., Насыров К. А., Гриценко Д. В., Новиков Ю. Н., Асеев А. Л., Ли Д.-В., Ким Ч. В. ФТП, 39 (6), 748 (2005).

2. Гриценко В. А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: Наука, 1993. С. 279.

3. Chen Jing Hao, Wang Ying Qian, Yoo Won Jong, Samudra Ganesh, Daniel Sh Chan, An Yan Du and Kwong Dim-Lee. IEEE Transactions on Electron Devices, 51,¹N 11, 1840 (2004).

4. Gritsenko V. A., Nasyrov K. A., Gritsenko D. V., Novikov Yu. N., H. Lee J., Lee J.-W., Kim C. W., Wong Hei. Modeling of a EEPROM device based on silicon quantum dots embedded in high-k dielectrics, Microelectron Engineering, 81, 530 (2005).

5. Gritsenko V. A., Meerson E. E., Morokov Yu. N. Phys. Rev. B., 57, R2081 (1997).

6. Liu Z., Lee C., Narayanan V., Pen G., Kan E.C. IEEE Transactions on Electron Devices, 49, N 9, 1614 (2002).

7. She M., King T.-J. IEEE Transactions on Electron Devices, 50, ¹ 9, 1934 (2003).

8. Wang Chen-Chan, Chiou Yan-Kai, Chang Che-Hao, Tseng Jiun-Yi, Wu Lin-Jung, Chen Chun-Yu and Wu Tai-Bor. Journal of Physics D: Applied Physycs, 40, 1673 (2007).

9. Gricenko V. A., Nasyrov K. A., Gricenko D. V., Novikov Ju. N., Aseev A. L., Li D.-V., Kim Ch. V. FTP, 39 (6), 748 (2005).

10. Gricenko V. A. Stroenie i jelektronnaja struktura amorfnyh dijelektrikov v kremnievyh MDP strukturah. Novosibirsk: Nauka, 1993. С. 279.

11. Chen Jing Hao, Wang Ying Qian, Yoo Won Jong, Samudra Ganesh, Daniel SH Chan, An Yan Du and Kwong Dim-Lee. IEEE Transactions on Electron Devices, 51, ¹ 11, 1840 (2004).

12. Gritsenko V. A., Nasyrov K. A., Gritsenko D. V., Novikov Yu. N., H. Lee J., Lee J.-W., Kim C. W., Wong Hei. Modeling of a EEPROM device based on silicon quantum dots embedded in high-k dielectrics, Microelectron Engineering, 81, 530 (2005).

13. Gritsenko V. A., Meerson E. E., Morokov Yu. N. Phys. Rev. B., 57, R2081 (1997).

14. Liu Z., Lee C., Narayanan V., Pen G., Kan E. C. IEEE Transactions on Electron Devices, 49, ¹ 9, 1614 (2002).

15. She M., King T.-J. IEEE Transactions on Electron Devices, 50, ¹ 9, 1934 (2003).

16. Wang Chen-Chan, Chiou Yan-Kai, Chang Che-Hao, Tseng Jiun-Yi, Wu Lin-Jung, Chen Chun-Yu and Wu Tai-Bor. Journal of Physics D: Applied Physycs, 40, 1673 (2007).

Источник

Информация

Автор

Ю. Новиков Сибирское отделение РАН Институт физики полупроводников
К. Насыров Сибирское отделение РАН Институт автоматики и электрометрии

Название журнала

Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена

Выпуск

Год публикации

2010

Страницы

63-68

Издатель

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена

Тип документа

научная статья

Примечания

ББК: Ч30я54
EDN: NCBEEZ
ГРНТИ: 290000

Ключевые слова

Коллекции

Статья

Флэш-элемент памяти, основанный на кремниевых квантовых точках, встроенных в диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью

Похожие публикации

Источник

Информация