Новиков Ю., Насыров К. Флэш-элемент памяти, основанный на кремниевых квантовых точках, встроенных в диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2010;(135):63-68.