%0 научная статья
%A Новиков, Юрий Николаевич
%A Насыров, Камиль Ахметович
%T Флэш-элемент памяти, основанный на кремниевых квантовых точках, встроенных в диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью
%D 2010
%J Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
%X Численно моделировались характеристики записи/стирания и хранения заряда во ФЛЭШ-элементе памяти на основе структуры кремний/оксид 1/оксид _2/кремниевая точка/блокирующий оксид/полупроводник В качестве первого туннельного диэлектрика использовался слой Si02 (e * 3,9) толщиной 1,5 нм, в качестве блокирующего и второго туннельного слоя использовался Zr02 (s*25) толщиной 8,0 нм. Такая последовательность диэлектриков в туннельном и блокирующих слоях позволяет максимально увеличить быстродействие и увеличить окно памяти во ФЛЭШ, основанной на нанокластерах встроенных в диэлектрик Программирование предложенного ФЛЭШ-импульсами ±11 В позволяет достичь окно памяти *6 В через 10 лет хранения.
%U https://rep.herzen.spb.ru/publication/3826