Статья

Фотоструктурные перестроения стекол As40S30Se30

Г. Бордовский, Н. Анисимова, Р. Кастро, Т. Лиходеева
2008

Продемонстрировано, что облучение приводит к изменению кинетики нарастания и спада фототока для стекол As40S30Se30, меняет характер распределения релаксаторов и функцию плотности локализованных состояний. Методом мессбауэровской спектроскопии показано, что облучение сопровождается возрастанием в структуре аморфного материала доли двухкоординированного состояния атомов халькогенов Х в цепочках типа (-As-X-X-As-) с одновременным уменьшением доли атомов халькогенов в цепочках типа (-As-X-As-).

Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник