RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Фотоструктурные перестроения стекол As40S30Se30
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Бордовский, Геннадий Алексеевич
A1 - Анисимова, Надежда Ивановна
A1 - Кастро, Рене Арата
A1 - Лиходеева, Татьяна Владимировна
YR - 2008
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/7394
AB - Продемонстрировано, что облучение приводит к изменению кинетики нарастания и спада фототока для стекол As40S30Se30, меняет характер распределения релаксаторов и функцию плотности локализованных состояний. Методом мессбауэровской спектроскопии показано, что облучение сопровождается возрастанием в структуре аморфного материала доли двухкоординированного состояния атомов халькогенов Х в цепочках типа (-As-X-X-As-) с одновременным уменьшением доли атомов халькогенов в цепочках типа (-As-X-As-).