<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Бордовский Геннадий Алексеевич</author>
     <author>Анисимова Надежда Ивановна</author>
     <author>Кастро Рене Арата</author>
     <author>Лиходеева Татьяна Владимировна</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Фотоструктурные перестроения стекол As40S30Se30</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>физика</keyword>
    <keyword>полупроводники</keyword>
    <keyword>физика полупроводников</keyword>
    <keyword>Фотоструктурные перестроения</keyword>
    <keyword>халькогенидные стеклообразные полупроводники</keyword>
    <keyword>спектроскопия</keyword>
    <keyword>мессбауэровская спектроскопия</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2008</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>Продемонстрировано, что облучение приводит к изменению кинетики нарастания и спада фототока для стекол As40S30Se30, меняет характер распределения релаксаторов и функцию плотности локализованных состояний. Методом мессбауэровской спектроскопии показано, что облучение сопровождается возрастанием в структуре аморфного материала доли двухкоординированного состояния атомов халькогенов Х в цепочках типа (-As-X-X-As-) с одновременным уменьшением доли атомов халькогенов в цепочках типа (-As-X-As-).</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/7394</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
