Статья
Диэлектрическая проницаемость поляризованных кристаллов ТГС
2009
Исследована низкочастотная диэлектрическая проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Установлено, что e зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла и лежат в районе 10-102 Гц.
Кушнарев П., Барышников С., Маслов В. Диэлектрическая проницаемость поляризованных кристаллов ТГС. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2009;(79):140-144.
Цитирование
Список литературы