17 Кушнарев Павел Иванович Барышников Сергей Васильевич Маслов Вадим Владимирович сегнетоэлектрики Ferroelektrics dielectric permittivity spontaneous polarization electric field диэлектрическая проницаемость спонтанная поляризация электрическое поле 2009 2023-07-10 Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена Исследована низкочастотная диэлектрическая проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Установлено, что e зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла и лежат в районе 10-102 Гц. https://rep.herzen.spb.ru/publication/5523