RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Диэлектрическая проницаемость поляризованных кристаллов ТГС
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Кушнарев, Павел Иванович
A1 - Барышников, Сергей Васильевич
A1 - Маслов, Вадим Владимирович
YR - 2009
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/5523
AB - Исследована низкочастотная диэлектрическая проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Установлено, что e зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла и лежат в районе 10-102 Гц.