1. Андреев В. Н., Капралова В. М., Климов В. А. Влияние гидрирования на фазовый переход металл-полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия // ФТТ. 2007. Т. 49. Вып. 12.
2. Байков Ю. М., Никулин Е. И., Мелех Б. А.-Т., Степанов Ю. П., Филин Ю. Н. Воздействие молекулярного водорода, паров воды и высокого вакуума на проводимость и магнитные свойства манганита лантана-кальция в области 78-300 K // Письма ЖТФ. 2000. Т. 26. № 12. С. 58-63.
3. Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. - Л.: Наука, 1979. - 183 с.
4. Климов В. А., Капралова В. М., Шадрин Е. Б. Запоминающий датчик концентрации водородных ионов на основе материала с фазовым переходом полупроводник- металл: Материалы Международной конференции «Физические проблемы водородной энергетики». - СПб., 21-23 ноября 2005. С. 119-121.
5. Климов В. А., Тимофеева И. О., Ханин С. Д., Шадрин Е. Б., Ильинский А. В., Сильва-Андраде Ф. Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл-полупроводник в пленках диоксида ванадия // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 9. С. 67-74.
6. Мотт Н. Ф. Переходы металл-изолятор. - М.: Наука, 1979. - 342 с.
7. Bruckner W., Opperman H., Reichelt W., Terukov E. I., Tschudnovskii F. A. Vanadium-dioxide. Akademie-Verlag. - Berlin, 1983. Р. 252.
8. Gavriluk A. I. Photoinjection of hydrogen in solids: electron-proton plasma doping in transition metal oxides (WO3, MoO3,V2O5) and drastic enhancement of the print-out effect in silver and cuprous halides (AgCl, AgI, RbAg4I5, CuCl): Semiconductor Device Research Symposium, 2001 International. Р. 55-58, IEEE ISBN:0-7803-7432-0. Washington, DC, USA.
9. Motevalli M., Shah D., Shah S. A. A. and Sullivan A. C. A novel route to oxovanadium halides. Synthesis and x-ray structures of VOCl2·3Py and VO2 Cl·2Py Polyhedron. Vol. 15. Issue 14. July 1996. P. 2387-2395.
10. Shin S. et al. // Phys. Rev. B. 1990. V. 4. № 8. P. 4993-5009.
11. Tang C., Georgopoulos P., Efine M. et al. Phys. Rev. B., 31. N. 2, 1985. Р. 1000-1011.
12. Wuz P., Miyashita A., Yamamata S. // J. Appl. Phys. 1999. V. 86. P. 5311.
