Статья
Электрические и оптические явления в диоксиде ванадия вблизи фазового перехода полупроводник -металл
Исследованы петли температурного гистерезиса отражательной способности и электропроводности пленок диоксида ванадия (VO2) при фазовом переходе полупроводник-металл. На основе представлений о наличии широкого распределения зерен пленки по размерам и асимметрии элементарных петель гистерезиса отдельных кристаллитов пленки предложена последовательная модель формирования главной петли гистерезиса физических свойств пленок VO2. В рамках предложенной модели продемонстрирована возможность адекватной интерпретации экспериментально наблюдаемых петель гистерезиса в пленках VO2 в различных условиях проведения эксперимента. Методом заполнения диоксидом ванадия опаловых матриц синтезированы нанокомпозиты, обладающие фотонными свойствами, и обладающие фазовым переходом полупроводник-металл в области температур 55-75 оС. На базе исследований оптических свойств таких нанокомпозитов установлено, что они характеризуются широкой фотонной запрещенной зоной в видимой области спектра, энергетическое положение которой управляется фазовым переходом. Исследованы петли гистерезиса температурного положения фотонной запрещенной зоны (ФЗЗ) и петли гистерезиса электропроводности синтезированных нанокомпозитов при фазовом переходе в VO2 и показано, что формирование такого рода петель гистерезиса также хорошо описывается предлагаемой моделью, а полный комплекс экспериментальных результатов свидетельствует в пользу электронной природы данного фазового превращения.
