<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Кастро Арата Рене Алехандро</author>
     <author>Анисимова Надежда Ивановна</author>
     <author>Бордовский Владимир Алексеевич</author>
     <author>Грабко Геннадий Иванович</author>
     <author>Татуревич Тарас Владимирович</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Исследование влияния изменения структуры на энергетический спектр релаксаторов разупорядоченной халькогенидной полупроводниковой системы AS-SE</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>Спектр релаксаторов</keyword>
    <keyword>Relaxators spectrum</keyword>
    <keyword>Amorphous chalcogenide semiconductors</keyword>
    <keyword>Relaxation times distribution function</keyword>
    <keyword>Аморфные халькогенидные полупроводники</keyword>
    <keyword>функция распределения времен релаксации</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2011</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (гос. контракт ¹ 02.740.11.0544) На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках аморфных полупроводников системы As-Se проведен расчет функции распределения времен релаксации и энергетического распределения плотности заряженных дефектных состояний. Обсуждается влияние изменения структуры на спектр релаксаторов данных материалов.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/3159</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
