Статья

Явления переноса в тонких пленках висмута, легированного теллуром

В. Комаров, Д. Матвеев, И. Худякова, А. Крушельницкий
2012

Исследованы плёнки висмута, легированного теллуром, в количестве 0,005ат.% и 0,05ат.%, изготовленные методом дискретного термического напыления в вакууме на подложках из слюды (мусковит). Приведены результаты температурных зависимостей удельного сопротивления, магнетосопротивления, коэффициента Холла пленок висмута, легированного теллуром, толщиной от 100 до 700 нм в интервале температур 77-300 К и магнитных полей 0-0,65 Тл. Установлено проявление классического размерного эффекта в ограничении подвижности носителей заряда в пленках в области низких температур. В области температур 200-300 К преимущественным является рассеяние носителей заряда на фононах.

Комаров В., Матвеев Д., Худякова И., Крушельницкий А. Явления переноса в тонких пленках висмута, легированного теллуром. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2012;(147):50-63.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник