RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Явления переноса в тонких пленках висмута, легированного теллуром
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Комаров, Владимир Алексеевич
A1 - Матвеев, Даниил Юрьевич
A1 - Худякова, Инна Ивановна
A1 - Крушельницкий, Артемий Николаевич
YR - 2012
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/2964
AB - Исследованы плёнки висмута, легированного теллуром, в количестве 0,005ат.% и 0,05ат.%, изготовленные методом дискретного термического напыления в вакууме на подложках из слюды (мусковит). Приведены результаты температурных зависимостей удельного сопротивления, магнетосопротивления, коэффициента Холла пленок висмута, легированного теллуром, толщиной от 100 до 700 нм в интервале температур 77-300 К и магнитных полей 0-0,65 Тл. Установлено проявление классического размерного эффекта в ограничении подвижности носителей заряда в пленках в области низких температур. В области температур 200-300 К преимущественным является рассеяние носителей заряда на фононах.