17 Комаров Владимир Алексеевич Матвеев Даниил Юрьевич Худякова Инна Ивановна Крушельницкий Артемий Николаевич bismuth N-type impurity of tellurium thin films resistivity magnetoresistance hall constant size effect Scattering mechanism висмут Донорная примесь теллура тонкие плёнки удельное сопротивление магнетосопротивление эффект Холла размерный эффект механизмы рассеяния 2012 2023-07-10 Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена Исследованы плёнки висмута, легированного теллуром, в количестве 0,005ат.% и 0,05ат.%, изготовленные методом дискретного термического напыления в вакууме на подложках из слюды (мусковит). Приведены результаты температурных зависимостей удельного сопротивления, магнетосопротивления, коэффициента Холла пленок висмута, легированного теллуром, толщиной от 100 до 700 нм в интервале температур 77-300 К и магнитных полей 0-0,65 Тл. Установлено проявление классического размерного эффекта в ограничении подвижности носителей заряда в пленках в области низких температур. В области температур 200-300 К преимущественным является рассеяние носителей заряда на фононах. https://rep.herzen.spb.ru/publication/2964