Статья

Общая закономерность, определяющая величину, температурную и концентрационную зависимость удельного сопротивления кристаллов типа висмута

В. Грабов, А. Парахин, Л. Багулин, О. Урюпин
2006

Приведены новые данные об особенностях явлений переноса, обусловленных процессами релаксации носителей заряда в кристаллах типа висмута, и закономерностях механизмов рассеяния носителей заряда в кристаллах этих полуметаллов, имеющих сложную зонную структуру. Установлена общая закономерность в температурной и концентрационной зависимости удельного сопротивления кристаллов типа висмута, отличающаяся от функции Блоха- Грюнайзена наличием экспоненциальных зависимостей в области температур ниже температуры Дебая. Указанная закономерность существенным образом определяется вкладом межэкстремумных переходов в процессы релаксации носителей заряда в кристаллах полуметаллов со сложной многодолинной структурой зон с расположением экстремумов энергии в зоне Бриллюэна на расстояниях, порядка граничных значений волнового вектора фононов.

Грабов В., Парахин А., Багулин Л., Урюпин О. Общая закономерность, определяющая величину, температурную и концентрационную зависимость удельного сопротивления кристаллов типа висмута. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2006;(15):86-100.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник