RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Общая закономерность, определяющая величину, температурную и концентрационную зависимость удельного сопротивления кристаллов типа висмута
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Грабов, Владимир Минович
A1 - Парахин, Александр Сергеевич
A1 - Багулин, Леонид Сергеевич
A1 - Урюпин, Олег Николаевич
YR - 2006
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/10003
AB - Приведены новые данные об особенностях явлений переноса, обусловленных процессами релаксации носителей заряда в кристаллах типа висмута, и закономерностях механизмов рассеяния носителей заряда в кристаллах этих полуметаллов, имеющих сложную зонную структуру. Установлена общая закономерность в температурной и концентрационной зависимости удельного сопротивления кристаллов типа висмута, отличающаяся от функции Блоха- Грюнайзена наличием экспоненциальных зависимостей в области температур ниже температуры Дебая. Указанная закономерность существенным образом определяется вкладом межэкстремумных переходов в процессы релаксации носителей заряда в кристаллах полуметаллов со сложной многодолинной структурой зон с расположением экстремумов энергии в зоне Бриллюэна на расстояниях, порядка граничных значений волнового вектора фононов.