<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Кастро Рене Арата</author>
     <author>Анисимова Надежда Ивановна</author>
     <author>Бордовский Владимир Алексеевич</author>
     <author>Грабко Геннадий Иванович</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Диэлектрическая спектроскопия модифицированных слоев триселенида мышьяка</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>dielectric parameters</keyword>
    <keyword>Conducting unites</keyword>
    <keyword>ChGS</keyword>
    <keyword>диэлектрические параметры</keyword>
    <keyword>Микронеоднородные области</keyword>
    <keyword>ХСП</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2010</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>На основании экспериментальных кривых изотермической релаксации темнового тока в тонких пленках стеклообразного полупроводника As2Se3(Bi)x, проведен расчет диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Обсуждается влияние высокопроводящих включений с повышенным содержанием примеси на процесс диэлектрической поляризации в исследуемых слоях.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/3829</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
