RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Исследование атомов железа в GaAs и GaP методом эмиссионной мёссбауэровской спектроскопии
SP - 2023-07-10
A1 - Серегин, Павел Павлович
A1 - Дашина, Алена Юрьевна
A1 - Николаева, Анна Валерьевна
A1 - Рабчанова, Татьяна Юрьевна
YR - 2012
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/2811
AB - Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия использована для обнаружения зависимости зарядового состояния примесных атомов Fe в GaAs и GaP от положения уровня Ферми в запрещенной зоне. Атомы железа замещают атомы галлия и имеют тетреаэдрическое окружение. Электронная конфигурация нейтрального состояния центров Fe0 3d54s0.52p1.56 (в GaAs) или 3d54s0.79p2.37 (в GaP), тогда как в ионизованном состоянии заселенность 3d оболочки железа возрастает (3d6). Значение ЕFe - ЕCo = -(0.016 ± 0.003) эВ получено для GaAs и ЕFe - ЕCo = -(0.035 ± 0.003) эВ для GaP. Процесс быстрого электронного обмена через валентную зону между центрами Fe0 и Fe- при 295 К наблюдался для слабо перекомпенсированных GaAs и GaP