<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Серегин Павел Павлович</author>
     <author>Дашина Алена Юрьевна</author>
     <author>Николаева Анна Валерьевна</author>
     <author>Рабчанова Татьяна Юрьевна</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Исследование атомов железа в GaAs и GaP методом эмиссионной мёссбауэровской спектроскопии</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>impurity atoms</keyword>
    <keyword>electron exchange</keyword>
    <keyword>Mossbauer emission spectroscopy</keyword>
    <keyword>примесные атомы</keyword>
    <keyword>электронный обмен</keyword>
    <keyword>эмиссионная мессбауэровская спектроскопия</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2012</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <abstract>Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия использована для обнаружения зависимости зарядового состояния примесных атомов Fe в GaAs и GaP от положения уровня Ферми в запрещенной зоне. Атомы железа замещают атомы галлия и имеют тетреаэдрическое окружение. Электронная конфигурация нейтрального состояния центров Fe0 3d54s0.52p1.56 (в GaAs) или 3d54s0.79p2.37 (в GaP), тогда как в ионизованном состоянии заселенность 3d оболочки железа возрастает (3d6). Значение ЕFe - ЕCo = -(0.016 ± 0.003) эВ получено для GaAs и ЕFe - ЕCo = -(0.035 ± 0.003) эВ для GaP. Процесс быстрого электронного обмена через валентную зону между центрами Fe0 и Fe- при 295 К наблюдался для слабо перекомпенсированных GaAs и GaP</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/2811</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
