RT - научная статья
SR - Electronic
T1 - Диэлектрическая релаксация в мдп-структурах на основе оксида алюминия
JF - Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена
SP - 2023-07-10
A1 - Леонова, Татьяна Михайловна
A1 - Кастро, Арата Рене Алехандро
YR - 2012
UL - https://rep.herzen.spb.ru/publication/2809
AB - Экспериментально исследованы диэлектрические свойства структур металл - диэлектрик - полупроводник на основе слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания с использованием различных реагентов. Обнаружено, что применение азотной кислоты при получении диэлектрического слоя приводит к увеличению диэлектрической проницаемости, к увеличению диэлектрических потерь и к смещению их максимума в область более низких частот. Кроме того, выявлено уменьшение проводимости и увеличение энергии активации. Установленные закономерности объясняются структурными особенностями слоев, полученных в разных технологических условиях