<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Леонова Татьяна Михайловна</author>
     <author>Кастро Арата Рене Алехандро</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Диэлектрическая релаксация в мдп-структурах на основе оксида алюминия</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>МДП-структура</keyword>
    <keyword>МOS-structure</keyword>
    <keyword>oxide layer</keyword>
    <keyword>dielectric parameters</keyword>
    <keyword>оксидный слой</keyword>
    <keyword>диэлектрические параметры</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2012</year>
    <pub-dates>
     <date>2023-07-10</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <journal>Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена</journal>
   <abstract>Экспериментально исследованы диэлектрические свойства структур металл - диэлектрик - полупроводник на основе слоев оксида алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания с использованием различных реагентов. Обнаружено, что применение азотной кислоты при получении диэлектрического слоя приводит к увеличению диэлектрической проницаемости, к увеличению диэлектрических потерь и к смещению их максимума в область более низких частот. Кроме того, выявлено уменьшение проводимости и увеличение энергии активации. Установленные закономерности объясняются структурными особенностями слоев, полученных в разных технологических условиях</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/2809</url>
    </web-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
