Статья
Спектры плазменного отражения кристаллов твердых растворов Bi <sub>2</sub>Te <sub>3</sub>–Sb <sub>2</sub>Te <sub>3</sub> в инфракрасной области
Н. Степанов,
А. Калашников,
И. Худякова,
В. Наливкин
2013
Представлены результаты экспериментального исследования спектральных зависимостей коэффициента отражения кристаллов твердых растворов Bi 2 Te 3 – Sb 2 Te 3, содержащих 0, 10, 25, 40, 50, 60, 65, 70, 80, 90, 99.5 и 100 мол.% Sb 2 Te 3 в твердом растворе. Измерения проводились в поляризованном и неполяризованном длинноволновом инфракрасном излучении в диапазоне температур от 80 до 300 К.Исследования спектральной зависимости коэффициента отражения при различных ориентациях вектора напряженности электрического поля электромагнитного излучения указывают на возможное влияние дополнительной группы носителей заряда в валентной зоне. Этот вывод подтверждается данными температурных измерений плазменного отражения. Изучение закономерностей изменения плазменных частот с температурой открывает возможность исследования процесса перераспределения носителей заряда между неэквивалентными экстремумами валентной зоны.
Степанов Н., Калашников А., Худякова И., Наливкин В. Спектры плазменного отражения кристаллов твердых растворов Bi 2Te 3–Sb 2Te 3 в инфракрасной области. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2013;(154):80-90.
Цитирование
Список литературы
1. Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Вi2Te3. М.: Наука, 1972. 321 с.
2. Мосс Т., Баррелл Г., Эллис Б. Полупроводниковая электроника. М.: Мир, 1965. 382 с.
3. Степанов Н. П., Грабов В. М. Оптические эффекты, обусловленные совпадением энергии плазменных колебаний и межзонного перехода в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута // Оптика и спектроскопия. 2002. Т. 92. № 5. С. 794-798.
4. Степанов Н. П., Грабов В. М. Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмут-сурьма // ФТП. 2001. Т. 3. № 6. С. 734-738.
5. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.
6. Austin I. G. The Optical Properties of Bismuth Telluride // Proc. Phys. Soc. 1958. V. 72. N 4. P. 545-552.
7. Dennis J. H. Anisotropy of thermoelectric power in bismuth telluride. Laboratory of electronics. Massachusetts Institute of Technology, 1961. 52 p.
8. Drabble J. R., Wolfe К. Anisotropy Galvanomagnetic Effects in Semiconductors // Proc. Phys. Soc. 1956. V. 69B. N 11. P. 1101-1110.
9. Groth R., Schnabel P. Bestimmung der anisotropie der effektiven masse in n-Bi2Te3 durch reflexionsmessungen im ultraroten // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1964. N 25. P. 1261-1267.
10. Sehr R., Testardi L. R. Plasma Edge in Bi2Te3 // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N 9. P. 2754-2756.
11. Sehr R., Testardi L. R. The optical properties of p-type Bi2Te3-Sb2Te3 alloys between 2-15 microns // Journal Physics and Chemistry of Solids. 1962. N 23. P. 1219-1224.
12. Stordeur M., Stolzer M., Sobotta H., Riede V. Investigation of the valence band structure of thermoelectric (Bi1-xSbx)2Te3 // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. N 150. P. 165-176.
Похожие публикации