<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<xml>
 <records>
  <record>
   <ref-type name="Journal Article">17</ref-type>
   <contributors>
    <authors>
     <author>Пронин Владимир Петрович</author>
     <author>Хинич Иосиф Исаакович</author>
     <author>Рыжов Игорь Викторович</author>
     <author>Крушельницкий Артемий Николаевич</author>
    </authors>
   </contributors>
   <titles>
    <title>Электронно-микроскопические исследования структуры и сегнетоэлектрических свойств тонких плёнок твердых растворов цирконата-титаната свинца в области морфотропной фазовой границы, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для устройств микроэлектромеханики</title>
   </titles>
   <keywords>
    <keyword>пьезо- и сегнетоэлектрики</keyword>
    <keyword>цирконат-титанат свинца</keyword>
    <keyword>униполярные тонкие пленки</keyword>
    <keyword>внутреннее поле</keyword>
    <keyword>микроэлектромеханика</keyword>
   </keywords>
   <dates>
    <year>2023</year>
    <pub-dates>
     <date>2024-06-13</date>
    </pub-dates>
   </dates>
   <abstract>Актуальность исследования: тонкопленочные сегнетоэлектрические структуры являются перспективными материалами для современной микро- и наноэлектромеханики. В связи с этим исследование структур подобного рода являются достаточно актуальными. &#13;
Целью настоящего исследования является изучение электрофизических свойств сферолитовых структур сформированных на основе цирконата титаната свинца.&#13;
Объект исследования являются тонкопленочные сегенетоэлектрические сферолитовые структуры на основе цирконата титаната свинца. &#13;
Предмет исследования: определение механизмов формирования сферолитовых структур на основе цирконата титаната свинца и электрофизических характеристик.&#13;
Задачи исследования:&#13;
- совершенствования технологии формирования тонких поликристаллических слоев твердых растворов цирконата-титаната свинца (ЦТС), отличающихся сферолитовой микроструктурой, состав которых соответствуют области морфотропной фазовой границы, методом высокочастотного магнетронного осаждения на практически важных подложечных материалах, при вариации технологических параметров их формирования,&#13;
- изучения особенностей сферолитовой микроструктуры и кристаллической структуры тонких пленок ЦТС с использованием методов растровой электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, рентгеноструктурного анализа,&#13;
- изучения полярных характеристик (спонтанной и остаточной поляризации, внутреннего поля) методами диэлектрической диагностики и силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика в сформированных пленках,&#13;
- выявления связи технологических параметров, кристаллической структуры, микроструктуры и полярных свойств исследуемых сферолитовых пленок,&#13;
- анализа полученных экспериментальных результатов и оптимизация технологии формирования и получения устойчивых униполярных тонких пленок ЦТС.&#13;
Методы исследования: электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, рентгеноструктурный анализ, методика анализа второй оптической гармоники, оптическая\ микроскопия, диэлектрическая\ спектроскопия.&#13;
Результаты исследования &#13;
В работе были выращены двухфазные (островковые) и однофазные тонкие пленки ЦТС отличающиеся лучистой сферолитовой микроструктурой, состав которых соответствовал области МФГ. Пленки отличались различной концентрацией центров зародышеобразования (или линейными размерами сферолитовых блоков, отличающимися в 3-4 раза). Было обнаружено, что:&#13;
- в островковых лучистых сферолитах изменение микроструктуры и сигнала ГВГ от центра к периферии вызвано рекристаллизацией фазы перовскита и образованием лучистой микроструктуры, &#13;
- в сферолитовых блоках наблюдался поворот ростовой оси, скорость поворота которой составляла 0.5-1.5 град/мкм, в зависимости от линейного размера сферолитов,&#13;
- предполагается, что наблюдавшиеся эффекты такие как: изменение микроструктуры блоков, сигнала ГВГ, скорости поворота ростовых осей и другие определенные в работе характеристики, вызваны действием механических напряжений в плоскости тонких пленок, величина которых растет с увеличением размеров сферолитовых блоков. Появление механических напряжений обусловлено изменением плотности фаз в процессе кристаллизации тонких пленок ЦТС, а появление новых большеугловых границ вызвано достижением величины растягивающих напряжений предела упругости или выше, что приводит к образованию дислокаций и других кристаллических нарушений, приводящих к релаксации механических напряжений,&#13;
- действие механических напряжений приводит к ориентации латеральной составляющей поляризации в радиальном направлении и образованию латерально радиальной самополяризации в сферолитовых островках и сферолитовых блоках.&#13;
- границы сферолитов отрицательно заряжены, а вектор латеральной поляризации в них радиально ориентирован в направлении от центра сферолита к его границам.</abstract>
   <urls>
    <web-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/publication/16700</url>
    </web-urls>
    <pdf-urls>
     <url>https://rep.herzen.spb.ru/files/9492</url>
    </pdf-urls>
   </urls>
  </record>
 </records>
</xml>
